характеристики
Основные
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 512ГБ |
| Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| Особенности | NVMe |
| Среднее время наработки на отказ | 1,8млн.ч |
| Максимальный ресурс записи | 300ТБ |
Флеш-память
| Тип чипов памяти | TLC |
| Техпроцесс NAND | нет |
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Макс. скорость записи:
2000МБ/сек
Макс. скорость чтения:
3100МБ/сек
Максимальный ресурс записи:
300ТБ
Объем:
512ГБ
Особенности:
NVMe
Скорость произвольного чтения:
150000IOPS
Скорость произвольной записи:
400000IOPS
Среднее время наработки на отказ:
1,8млн.ч
Техпроцесс NAND:
нет
Тип чипов памяти:
TLC
Форм-фактор:
M.2