характеристики
Основные
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 512ГБ |
| Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| Особенности | NVMe |
| Среднее время наработки на отказ | 1,5млн.ч |
| Максимальный ресурс записи | 200ТБ |
Флеш-память
| Тип чипов памяти | TLC |
Максимальная производительность
| Макс. скорость чтения | 2100МБ/сек |
| Макс. скорость записи | 1500МБ/сек |
| Скорость произвольной записи | 300000IOPS |
| Скорость произвольного чтения | 420000IOPS |
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Макс. скорость записи:
1500МБ/сек
Макс. скорость чтения:
2100МБ/сек
Максимальный ресурс записи:
200ТБ
Объем:
512ГБ
Особенности:
NVMe
Скорость произвольного чтения:
420000IOPS
Скорость произвольной записи:
300000IOPS
Среднее время наработки на отказ:
1,5млн.ч
Тип чипов памяти:
TLC
Форм-фактор:
M.2