характеристики
Основные
Форм-фактор | M.2 |
Объем | 1ТБ |
Интерфейс | PCIe 5.0 x4 |
Контроллер | Samsung Presto |
Особенности | NVMe |
Среднее время наработки на отказ | 1,5млн.ч |
Максимальный ресурс записи | 600ТБ |
Флеш-память
Тип чипов памяти | 3-bit MLC |
Техпроцесс NAND | 5нм |
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Samsung Presto
Макс. скорость записи:
13300МБ/сек
Макс. скорость чтения:
14700МБ/сек
Максимальный ресурс записи:
600ТБ
Объем:
1ТБ
Особенности:
NVMe
Скорость произвольного чтения:
1850000IOPS
Скорость произвольной записи:
2600000IOPS
Среднее время наработки на отказ:
1,5млн.ч
Техпроцесс NAND:
5нм
Тип чипов памяти:
3-bit MLC
Форм-фактор:
M.2